为满足科研人员对样品的观测需求,我们采用先进的微电子工艺,设计并制造了专门用于同步辐射线站及扫描电子显微镜(SEM)的标准氮化硅膜窗格。我们的氮化硅膜窗格具有高洁净度,高X-射线透射性,低应力,高强度且膜厚均匀一致的特性,适用于高温(~1000℃)实验以及不同压力环境的测试。目前我们的产品已被全球范围内的科研人员广泛认可且用于其生物、材料、物理、化学等方面的研究。
产品特点
超洁净
100级洁净环境
严格选用硅衬底材料
先进的工艺水平
高强度
薄膜应力<250Mpa
薄膜最薄可至10nm
窗口大小可至2cm
超平整
粗糙度低于0.5nm
均匀性优于5%
理化稳定性优良
耐酸(氢氟酸除外),耐碱,耐有机溶剂
易使用等离子体清洗
X射线透过率高
技术参数
外框项目
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参数
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外框项目
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参数
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材料
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N型硅
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电阻率
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1~10Ω-cm
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氮化硅膜参数
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参数
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氮化硅膜参数
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参数
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材料
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LPCVD 氮化硅薄膜
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应力
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<250MPa
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介电常数
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6-7
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介电强度
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10(106 V/cm )
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电阻率
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1016Ω-cm
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粗糙度(Ra)
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0.28±5%nm
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折射率@630nm
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2.15-2.17
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粗糙度(Rms)
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0.40±5%nm
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应用范围
纳米材料,半导体材料,光学晶体材料,功能薄膜材料
胶体,气凝胶,有机材料和纳米颗粒的表征实验
含碳样品分析(光阻剂,聚合物,食品,油品,燃料等)
产品规格
此款窗格提供三种不同外框尺寸(5mm,7.5mm,10mm)以供选择,硅衬底厚度均为200μm。
产品编号
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膜厚
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窗口尺寸
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外框尺寸
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TE025Z
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10nm
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0.25x0.25mm
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5x5mm
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TE050Z
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10nm
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0.5x0.5mm
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5x5mm
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TE025Y
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20nm
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0.25x0.25mm
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5x5mm
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TE050Y
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20nm
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0.5x0.5mm
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5x5mm
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TE025A
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30nm
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0.25x0.25mm
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5x5mm
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TE050A
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30nm
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0.5x0.5mm
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5x5mm
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TE100A
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30nm
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1x1mm
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5x5mm
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TE025B
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50nm
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0.25x0.25mm
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5x5mm
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TE050B
|
50nm
|
0.5x0.5mm
|
5x5mm
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TE100B
|
50nm
|
1x1mm
|
5x5mm
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TE150B
|
50nm
|
1.5x1.5mm
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5x5mm
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TE200B
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50nm
|
2x2mm
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5x5mm
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TE025C
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100nm
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0.25x0.25mm
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5x5mm
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TE050C
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100nm
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0.5x0.5mm
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5x5mm
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TE100C
|
100nm
|
1x1mm
|
5x5mm
|
|
TE150C
|
100nm
|
1.5x1.5mm
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5x5mm
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TE200C
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100nm
|
2x2mm
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5x5mm
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TE75050C
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100nm
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0.5x0.5mm
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7.5x7.5mm
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TE75200C
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100nm
|
2x2mm
|
7.5x7.5mm
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TE100300C(5pcs)
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100nm
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3x3mm
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10x10mm
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TE100500C(5pcs)
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100nm
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5x5mm
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10x10mm
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TE010D
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200nm
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0.1x0.1mm
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5x5mm
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TE025D
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200nm
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0.25x0.25mm
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5x5mm
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TE050D
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200nm
|
0.5x0.5mm
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5x5mm
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TE100D
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200nm
|
1x1mm
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5x5mm
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TE150D
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200nm
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1.5x1.5mm
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5x5mm
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TE200D
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200nm
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2x2mm
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5x5mm
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TE250D
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200nm
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2.5x2.5mm
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5x5mm
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每盒包含10枚芯片(部分产品除外)
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