CVD 二硒化钼：MoSe2 孤立晶粒
制造方法：
化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）
产品简介：
六碳科技的MoSe2薄膜分为多种：
1） 单层离散分布的孤立晶粒，边长一般是几个微米到几十微米。
2） 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜，上面有多层区域。
3） 基底：MoSe2可选基底较多，其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。
应用领域：
光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。
二硒化钼连续膜（含多层区域）
留言咨询
|
| 温馨提示：苏州北科纳米供应产品仅用于科研，不能用于人体,不同批次产品规格性能有差异。网站部分文献案例图片源自互联网，图片仅供参考，请以实物为主，如有侵权请联系我们立即删除。 |
上一款： 没有了...
下一款： 黑磷/InSe 异质结
