CVD法 氧化硅基底单层石墨烯薄膜
产品名称：CVD法 氧化硅基底单层石墨烯薄膜
产品性质
薄膜颜色：无色透明
产品牌号: JCGRFSIO
方阻：单层A 300-600 Ω/□ 单层B 700-1500 Ω/□ 少层 500-1200Ω/□
石墨烯薄膜的层数为单层或少层（小于10层）。该薄膜完整性高，单层覆盖率高，导电性好，迁移率可达～6000cm2/vs。
石墨烯转移至氧化硅片上，客户也可以自己提供氧化硅片，我们转移。
氧化硅参数：
类型：Ｐ型重掺杂（R:3×10-3Ωcm）
厚度：525±20μm
氧化层厚度：300nm
最大可做 7cm*7cm（可内接4英寸氧化硅基底或满转）
本产品应密封保存于干燥环境中，且温度低于35℃。严禁与易挥发物质和污染源接触。远离火源。
备注：A级单层覆盖率大于97% ，B级单层覆盖率大于85%，少层石墨烯厚度在10 层以内，可提供定制服务
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