10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片（Fe掺杂）
性能参数：
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产品型号 GaN-FS-C-SI-S10 尺寸 10×10.5mm2 厚度 350±25μm 晶体取向 C-plane（0001）off angle toward M-Axis 0.35°±0.15° TTV ≤10μm 弯曲度 ≤10μm 导电类型 Semi-Insulating 电阻率（300 K） > 106Ω·cm 位错密度 From 1x105to 3x106cm-2 有效面积 >90% 抛光 Front Surface：Ra＜0.2 nm(polished);
or <0.3nm(polished and surface treatment for epitaxy)Back Surface：0.5~1.5μm;
option：1-3nm(Fine ground)；<0.2nm(polished)包装 Packaged in a class 100 clean room environment,
in single container,under a nitrogen atmosphere.
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