4英寸氮化镓厚膜晶片（Si掺杂）
性能参数：
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产品型号 GaN-T-C-N-C100 尺寸 Ф 100 ± 0.1 mm 厚度 4.5±0.5 μm, 20±2 μm 晶体取向 C-plane(0001) ± 0.5° 导电类型 N-type(Si-doped) 电阻率（300 K） < 0.05Ω·cm 载流子浓度 > 1x1018cm-3 迁移率 ~ 200cm2/V•s 位错密度 Less than 5x108 cm-2(estimated by FWHMs of XRD) 衬底结构 GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP) 有效面积 >90% 包装 Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs
or single container , under a nitrogen atmosphere.
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扫描图：
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