注册 | 登录
中文 ENGLISH
2英寸氮化镓厚膜晶片(非掺杂)

2英寸氮化镓厚膜晶片(非掺杂)

【编号】BK2020081712 【CAS号】
【货号】 【规格】
5分钟轻松选对产品方案

17715390137 / 18101240246 / 18914047343

价格:    登录查看


数 量:


性能参数:

产品型号 GaN-T-C-U-C50
尺寸 50.8 ± 1 mm
厚度 350 ± 25 μm
晶体取向 C-plane(0001) ± 0.5°
导电类型 N-type(Undoped)
电阻率(300 K) < 0.5 Ω·cm for N-type (Undoped; GaN-FS-C-U-C50)
载流子浓度 < 5x1017cm-3
迁移率 ~ 300cm2/V•s
位错密度 Less than 5x108 cm-2(estimated by FWHMs of XRD)
衬底结构 GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP)
有效面积 >90%
包装 Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs
or single container , under a nitrogen atmosphere.


扫描图:




留言咨询

姓名: *
手机: *
邮箱: *
内容:
 
生物纳米材料前沿
纳米医学Frontier
温馨提示:苏州北科纳米供应产品仅用于科研,不能用于人体,不同批次产品规格性能有差异。网站部分文献案例图片源自互联网,图片仅供参考,请以实物为主,如有侵权请联系我们立即删除。
    氮化镓晶片

上一款: 没有了...

下一款:

17715390137
18101240246
18915694570
苏州北科纳米科技有限公司 京ICP备16054715号-1