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2英寸氮化镓厚膜晶片(非掺杂)
【编号】
BK2020081712
【CAS号】
【货号】
【规格】
11810
5分钟轻松选对产品方案
17715390137 / 18101240246 / 18914047343
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技术视频
应用案例
性能参数:
产品型号
GaN-T-C-U-C50
尺寸
50.8 ± 1 mm
厚度
350 ± 25 μm
晶体取向
C-plane(0001) ± 0.5°
导电类型
N-type(Undoped)
电阻率(300 K)
< 0.5 Ω·cm for N-type (Undoped; GaN-FS-C-U-C50)
载流子浓度
< 5x10
17
cm
-3
迁移率
~ 300cm
2
/V•s
位错密度
Less than 5x10
8
cm
-2
(estimated by FWHMs of XRD)
衬底结构
GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP)
有效面积
>90%
包装
Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs
or single container , under a nitrogen atmosphere.
扫描图:
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生物纳米材料前沿
纳米医学Frontier
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氮化镓晶片
GaN wafer
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