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2英寸氮化镓厚膜晶片(Si掺杂)

2英寸氮化镓厚膜晶片(Si掺杂)

【编号】BK2020081713 【CAS号】
【货号】 【规格】
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17715390137 / 18101240246 / 18914047343

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性能参数:

  • 产品型号 GaN-T-C-N-C50
    尺寸 Ф50.8 ± 0.1 mm
    厚度 4.5±0.5 μm, 20±2 μm
    晶体取向 C-plane(0001) ± 0.5°
    导电类型 N-type(Si-doped)
    电阻率(300 K) < 0.05Ω·cm
    载流子浓度 >  1x1018cm-3
    迁移率 ~ 200cm2/V•s
    位错密度 Less than 5x108 cm-2(estimated by FWHMs of XRD)
    衬底结构 GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP)
    有效面积 >90%
    包装 Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs
    or single container , under a nitrogen atmosphere.


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    氮化镓晶片

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