AgInP2S6晶体
材料名称：AgInP2S6
性质分类：半导体，非线性材料，铁电材料
禁带宽度：1.147 eV
合成方法：CVT
剥离难易程度：易
材料性质参考文献：
1, https://doi.org/10.1039/C7RA13519J
Structural, electronic, vibration and elasticproperties of the layered AgInP2S6 semiconductingcrystal – DFT approach
2, https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4962956
Second-harmonic generation in quaternary atomically thin layered AgInP2S6 crystals
晶体结构：
能带结构：
高定向结晶XRD
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