AgInP2Se6晶体
材料名称：AgInP2Se6
性质分类：拓扑材料，半导体，红外材料,非线性材料，铁电材料
禁带宽度：0.622 eV
合成方法：CVT
剥离难易程度：易
保存注意事项：晶体稳定，不需要特殊保存
参考文献：
(2009) Dielectric Properties of New AgInP2Se6 Crystals,Ferroelectrics, 391:1, 151-157, DOI: 10.1080/00150190903004718
材料结构：
能带结构
EDS能谱定性测试元素成分
高结晶性XRD
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