GeS2 二硫化锗晶体
材料名称：GaGeTe
性质分类：拓扑绝缘体，半导体，红外材料，热电材料，
禁带宽度：0.2 eV
合成方法：CVT
剥离难易程度：易
保存注意事项：晶体稳定，不需要特殊保存
晶体结构：
能带结构
EDS定性测试元素
研磨成粉体后测试XRD
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