Ga2O3 氧化镓，三氧化二镓 薄膜
以上价格为参考价，详细报价请咨询技术
4英寸硅片上电子束蒸发沉积薄膜。
基底：4英寸硅片，N型或者P型可选，电阻率小于0.1ohm*cm
氧化镓厚度，50nm
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| 温馨提示：苏州北科纳米供应产品仅用于科研，不能用于人体,不同批次产品规格性能有差异。网站部分文献案例图片源自互联网，图片仅供参考，请以实物为主，如有侵权请联系我们立即删除。 |
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