| 图片 | 编号/CAS号 | 货号 | 名称/规格 | 价格 |
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BKTMDC010455 |
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氮化硼 hBN 铜基底六方氮化硼薄膜 h-BN |
￥1860 |
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BK2020073001 |
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CVD 二硒化钼：MoSe2 孤立晶粒 连续薄膜 |
￥1768 |
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BK2020072902 |
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CVD 二硒化钼：MoSe2 孤立晶粒 |
￥1768 |
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BK2020072901 |
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Bi2Se3 硒化铋 蓝宝石基底CVD Bi2Se3连续膜 |
￥1560 |
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BKMK291 7440-44-0 |
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铜基1cm级别石墨烯单晶 |
￥1800 |
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BKMK283 7440-44-0 |
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铜基2000um石墨烯单晶 |
￥1200 |
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BKMK277 7440-44-0 |
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铜基1000um石墨烯单晶 |
￥1200 |
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BKMK271 7440-44-0 |
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铜基500um石墨烯单晶 |
￥1200 |
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BKMK265 7440-44-0 |
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铜基200um石墨烯单晶 |
￥1200 |
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BKMK259 7440-44-0 |
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铜基单晶石墨烯 |
￥1200 |
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BKTMDC123199 |
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SOI基底WS2 |
￥1470 |
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BKTMDC123024 |
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TEM铜网基底MoS2 |
￥1550 |
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BKTMDC123025 |
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砷化镓GaAs基底MoS2 |
￥1550 |
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BKTMDC123026 |
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铜膜基底MoS2 |
￥1400 |
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BKTMDC123027 |
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银膜基底MoS2 |
￥1430 |
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BKTMDC123028 |
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金膜基底MoS2 |
￥1470 |
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BKTMDC123030 |
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SOI绝缘体上硅基底MoS2 |
￥1550 |
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BKTMDC123031 |
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高阻本征硅基底MoS2（>10000ohm.cm）太赫兹专用 |
￥1450 |
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BKTMDC123032 |
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SrTiO3基底MoS2 |
￥1450 |
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BKTMDC123033 |
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云母基底MoS2 |
￥1400 |
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BKTMDC123034 |
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FTO基底MoS2 |
￥1300 |
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BKTMDC123035 |
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ITO基底MoS2 |
￥1400 |
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BKTMDC123036 |
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柔性PET基底MoS2 |
￥1400 |
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BKTMDC123037 |
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石英基底MoS2 |
￥1200 |
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BKTMDC123038 |
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蓝宝石基底MoS2 |
￥1150 |
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BKTMDC123039 |
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SiO2/Si基底MoS2 （氧化膜厚度 非300nm） |
￥1150 |
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BKTMDC123040 |
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SiO2/Si基底MoS2 （氧化膜厚度300nm） |
￥1150 |
